نقدم طريقة عدم الاتصال لتحديد وقت الاستجابة الحرارية لأجهزة استشعار درجة الحرارة المضمنة في الرقاقات. في هذه الطريقة ، يضيء مصباح الفلاش بقعة على الرقاقة في النبضات الدورية ؛ المكان على الجانب الآخر من المستشعر قيد الاختبار. ثم يتم الحصول على ثابت الوقت الحراري للمستشعر من قياس الاستجابة الزمنية ، جنبا إلى جنب مع نموذج نظري لتدفقات الحرارة في كل من المستشعر وأخرى داخل الرقاقة. بيانات تجريبية عن كل...
باستخدام ترسيب البخار الكيميائي المحسّن البلازما (PECVD) عند 13.56 ميجاهيرتز ، يتم تصنيع طبقة البذور في مرحلة النمو الأولي من الجريزوفولفين المهدرج الجرمانيوم السيليكون (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. آثار عمليات البذر على نمو μc-Si1 − xGex: H i-layers وأداء μc-Si1 − xGex: H p — i— n خلايا شمسية مفصلية واحدة يتم التحقيق. من خلال تطبيق طريقة البذر هذه ، تظهر الخلية الشمسية μc-Si1 − xGex: H تحسناً كبيرا...
تجارب متعامدة لنمو أفلام GaSb على الركيزة GaAs وقد تم تصميمها وتنفيذها باستخدام نظام ترسيب بالبخار الكيميائي الفلزي العضوي منخفض الضغط (LP-MOCVD). تم تحليل البلورات والبنى الدقيقة للأغشية المنتجة بشكل نسبي لتحقيق معايير النمو المثلى. لقد تم إثبات أن الغشاء الرفيع GaSb المُحسَّن لديه عرض كامل ضيق عند نصف الحد الأقصى (358 arc sec) لمنحنى هزاز (004) and ، وسطح أملس ذو خشونة منخفضة متوسطة الجذور تبلغ ...
بالنسبة للمواد المتجانسة ، فإن طريقة الغمر بالموجات فوق الصوتية ، المرتبطة بعملية تحسين عددية تعتمد في الغالب على خوارزمية نيوتن ، تسمح بتحديد الثوابت المرنة لمختلف المواد المركبة الاصطناعية والطبيعية. ومع ذلك ، يحدث تقييد رئيسي لإجراءات التحسين الحالية عندما تكون المادة المدروسة في حدود الفرضية المتجانسة. هذه هي حالة مصفوفة كربيد المنسوجة ثنائية الاتجاه و ألياف SiC مادة مركبة. في هذه الدراسة ، قم...
طريقة تصوير غير مدمرة بدون تلامس لتركيز الإشابة محلول مكانيًا ، [2.2] N d ، والمقاومة الكهربائية ، ، لرقائق السيليكون من النوع n و pباستخدام صور كاريوجرافي مثبتة في شدة إشعاع ليزر مختلفة. تم استخدام معلومات السعة والطور من مواقع الرقاقات ذات المقاومة المعروفة لاشتقاق عامل معايرة لتحديد معدل توليد الموجات الحاملة المطلقة بدقة. تم استخدام نموذج مجال التردد بناءً على الطبيعة غير الخطية للإشارات الراد...
يتم استعراض التطورات الحديثة في نمو أفلام SiC فوق المحور على Si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو أفلام SiC واستكشاف مزاياها وعيوبها. الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتركيب أفلام SiC الفوقيةيتم إعطاء على سي. سيظهر أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافًا كبيرًا عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة. تعتمد الطري...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
