الصفحة الرئيسية / أخبار /

تعزيز التبلور من الجرافين الفوقي نمت على سطح سداسي سداسي مع غطاء لوحة الموليبدينوم

أخبار

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

تعزيز التبلور من الجرافين الفوقي نمت على سطح سداسي سداسي مع غطاء لوحة الموليبدينوم

2018-01-03

تم العثور على تبلور الجرافين الفوقي (على سبيل المثال) نمت على الركيزة سداسية سيك إلى تعزيز كبير عن طريق سد الركيزة مع لوحة الموليبدينوم (مو لوحة) أثناء التفريغ الصلب. يتم التأكيد على تحسين البلورة على سبيل المثال طبقة نمت مع سدادة مو مو من خلال تغيير كبير من أطياف رامان المقاسة ، مقارنة مع الأطياف لعدم وجود السد. يُعتبَر تغطيس الصفيحة المموّهة للحثّ على تراكم الحرارة على سطح sic بواسطة انعكاس الإشعاع الحراري ورفع الضغط الجزئي si بالقرب من السطح عن طريق حصر ذرات si المتسامية بين الركيزة sic والمادة mo-plate ، التي ستكون المساهمين الأساسيين في تعزيز البلورة.

المقدمة

الجرافين هو مادة 2D تتألف من أحادي الطبقة من ذرات الكربون مرتبة في بنية شعرية على شكل قرص العسل 1 ، 2 ، 3 ، 4. وبفضل قدراته الفائقة في الإلكترون والثقب ، اعتبر الجرافين مادة مرشحة واعدة للأجهزة الإلكترونية فائقة السرعة العاملة في نظام التردد thz 5. تم تحقيق أول عزلة ناجحة للجرافين عن طريق التقشير الميكانيكي للجرافيت ذو المنحى العالي (hopg) 2. على الرغم من أنه يمكن الحصول على رقائق الجرافين أحادية البلور ذات الجودة العالية بالتقشير الميكانيكي ، إلا أن أحجام رقائق الجرافين صغيرة جدًا (\u0026 lt؛ 100 ميكرومتر) للتطبيقات العملية 6. وقد تم استكشاف العديد من البدائل بما في ذلك ترسب البخار الكيميائي (cvd) 7،8 ، ترسب مصدر الصلبة 9،10 ، والرسوم البيانية السطحية من sic4،6،11،12،13،14 لتوليف الجرافين على نطاق واسع. ذات أهمية خاصة هو الرسم البياني لسطح بلورية واحدة بالتلوين الحراري في فراغ عالي جدا (uhv) 4 أو ar environment6 عند درجة حرارة عالية (\u0026 gt؛ 1300 درجة مئوية). في هذه العملية ، يتم تسليط الذرات si فقط من السطح ، وإعادة ترتيب الذرات c المتبقية لتشكيل نموذج موحد بحجم ما يسمى الجرافين الفوقيزي (على سبيل المثال) إما على si-face (0001) أو c-face (000-1) surface15. على سبيل المثال ، يزرع على سطح c-face عادةً أكثر سمكا (عادة 10-20 طبقات) من ذلك على سطح si-face ولكن يمكن أن تصل حركته إلى 18.700 cm2v − 1s − 1 14. hass et al.showed from first- حسابات مبادئ أن مثل هذا الحامل المرتفع للوجه c على سبيل المثال يرجع إلى أخطاء التراص التناوب فريدة من نوعها المقيمين في c-face على سبيل المثال. هذه الأخطاء التراص التناوب فصل طبقات الجرافين المجاورة إلكترونيا وجعل الطبقات الجرافين متعددة الحفاظ على الخواص الإلكترونية لجرافين طبقة واحدة معزولة. في الآونة الأخيرة ، trabelsi وآخرون. أبلغت عن أن بضعة أو حتى طبقة واحدة من الجرافين يمكن أن تزرع فوق السطح على سطح c-face في شكل جزر (مئات μm) أو فقاعات قائمة بذاتها (عدة ميكرومتر) 17 ،

18- تدل نتائجها على أنه من الممكن التحكم بسماكة السطح المزروع على سطح c - على سبيل المثال عن طريق ضبط تدفق si الموفر خارجيًا ووقت النمو خلال التلدين التقليدي لـ uhv. وبناءً على التوافر الواسع النطاق والخواص الكهربائية الجيدة ، على سبيل المثال ، على السطح sic (إما si-face أو c-face) يوضح بوضوح إمكانية استخدامه كمنصة للأجهزة الإلكترونية المستقبلية. ومع ذلك ، فمن الضروري العمل باستمرار على خفض درجة حرارة التكوين على سبيل المثال مع الحفاظ على خصائصه الكهربائية المتفوقة من أجل تصنيع الأجهزة الإلكترونية عالية الأداء بتكاليف معالجة منخفضة. هذا أمر بالغ الأهمية بالنسبة للتسويق الفعلي للإلكترونيات على سبيل المثال في المنافسة مع التكنولوجيا si الحالية. في هذا العمل ، قمنا بتطوير طريقة تجريبية لتحسين كبير في تبلور على سبيل المثال نمت على الركيزة سداسية سيك ببساطة عن طريق سد الركيزة مع لوحة الموليبدينوم (مو لوحة) خلال الصلب uhv.

النتائج

نمو أفلام على سبيل المثال على سطح c-face 4-c من النوع C مع تغطية صفائح mo والتحليل الهيكلي

على سبيل المثال تم زرع الفيلم على سبيل المثال على 4-سي 4-درجة sisc من c- وجه c-face miscut إلى \u0026 lt؛ 11–20 \u0026 gt ؛. تم تنظيف الركيزة الكيميائية كيميائيا مع HF (49 ٪) لمدة 1 دقيقة تليها شطف الميثانول لإزالة أكاسيد الأم. كما تم تنظيف الصفيحة المولية باستخدام محلول hcl: h2o (2: 1) لمدة 10 دقائق متبوعًا بـ شطف وتليين عند 500 درجة مئوية في uhv لإزالة المخلفات من عمليات المعالجة. من أجل مقارنة نمو على سبيل المثال مع غطاء وبدون صفائح مو ، كان سطح c-face من عينة 4h-sic على اتصال مع اللوحة mo في حين أن عينة 4h-sic الأخرى تعرضت لبيئة uhv أثناء التلدين كما هو موضح في الشكل 1. تم تلدين العينات المعدة بهذه الطريقة لمدة 10-60 دقيقة عند 850-950 درجة مئوية ، وهي أقل بكثير من عملية التلدين بالفراغ التقليدي. تم قياس درجة الحرارة باستخدام كل من البيرومتر الحراري والمزدوج الحراري. كان ضغط قاعدة الحجرة 6.0 × 10−9 torr وأصبح ضغط التشغيل مرتفعاً مثل ~ 4.6 × 10−6 torr عندما وصل زمن التلدين إلى 60 دقيقة عند 900 درجة مئوية.


لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ،

إرسالالبريد الإلكتروني لنا at angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com


اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
   
إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.