الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

الحسابات النظرية الوظيفية للكثافة للتكوينات الذرية وفجوات النطاق لبلورات C- و Ge- و Sn-Doped للخلايا الشمسية

2020-03-17
الموصلية الكهربائية لتركيبات GaAs / GaAs المرتبط بالرقائق المباشرة للخلايا الشمسية الترادفية المرصودة برقائق الويفر

2020-03-09

قائما بذاته غان الركيزة

بام-شيامن أنشأت تكنولوجيا التصنيع ل قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة رقاقة، وهو ل أوب بقيادة و لد. التي نمت بها هيدريد بخار مرحلة النضج (هفب) التكنولوجيا، لدينا الركيزة غان ديه كثافة عيب منخفضة.

موك :
1

اتصل الآن

تفاصيل المنتج

قائما بذاته غان الركيزة

بام-شيامن أنشأت تكنولوجيا التصنيع ل قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة ويفر الذي هو لأوب-- بقيادة ود. التي نمت بها هيدريد بخار مرحلة الطفرة (هفب) التكنولوجيا، لدينا الركيزة غان لديه كثافة عيب منخفضة وأقل أو مجانا كثافة عيب الكلي.

مواصفات قائما بذاته غان الركيزة

هنا يظهر تفاصيل المواصفات:

2 " بذاتها (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة

بند	حزب الأصالة والمعاصرة-FS-gan50 ن	حزب الأصالة والمعاصرة-FS-gan50، الاشتراكية

نوع التوصيل	نوع ن	شبه العازلة
بحجم	2 "(50.8) +/- 1MM
سماكة	300 +/- 50um
اتجاه	ج محور (0001) +/- 0.5^س
الابتدائية شقة موقعك	(1-100) +/- 0.5^س
الابتدائية شقة الطول	16 +/- 1MM
الثانوية شقة موقعك	(11-20) +/- 3^س
الثانوية شقة الطول	8 +/- 1MM
المقاومة (300K)	العلامة u0026 lt؛ 0.5Ω · سم	وGT (10)؛⁶ Ω · سم
انخلاع كثافة	العلامة u0026 lt؛ 5X10⁶ سم 2
ماركو، عيب كثافة	درجة u0026 لوت؛ = 2 سم^-2 ب الصف u0026 GT؛ 2CM^-2
TTV	العلامة u0026 lt؛ = 15um
ينحني	العلامة u0026 lt؛ = 20um
صقل الأسطح	السطح الأمامي: را u0026 لوت؛ 0.2nm.epi جاهزة مصقول

السطح الخلفي: 1. الأرض فين 2. خلال مطحون

منطقة قابلة للاستخدام ≥ 90٪

1.5 " بذاتها غان الركيزة

بند	حزب الأصالة والمعاصرة-FS-gan38 ن	حزب الأصالة والمعاصرة-FS-gan38، الاشتراكية

نوع التوصيل	نوع ن	شبه العازلة
بحجم	1.5 "(38.1) +/- 0.5mm و
سماكة	260 +/- 20um
اتجاه	ج محور (0001) +/- 0.5^س
الابتدائية شقة موقعك	(1-100) +/- 0.5^س
الابتدائية شقة الطول	12 +/- 1MM
الثانوية شقة موقعك	(11-20) +/- 3^س
الثانوية شقة الطول	6 +/- 1MM
المقاومة (300K)	العلامة u0026 lt؛ 0.5Ω · سم	وGT (10)؛⁶ Ω · سم
انخلاع كثافة	العلامة u0026 lt؛ 5X10⁶ سم 2
ماركو، عيب كثافة	درجة u0026 لوت؛ = 2 سم^-2 ب الصف u0026 GT؛ 2CM^-2
TTV	العلامة u0026 lt؛ = 15um
ينحني	العلامة u0026 lt؛ = 20um
صقل الأسطح	أمامي السطح: را u0026 لوت؛ 0.2nm.epi جاهزة مصقول

السطح الخلفي: 1. الأرض فين 2. خلال مطحون

منطقة قابلة للاستخدام ≥ 90٪

خفض 15mm و 10MM، 5MM بذاتها غان الركيزة

بند	حزب الأصالة والمعاصرة-FS-gan15 ن بام-فس-gan10-n بام-فس-gan5-n	حزب الأصالة والمعاصرة-FS-gan15، الاشتراكية بام-فس-gan10-سي بام-فس-gan5-سي

نوع التوصيل	نوع ن	شبه العازلة
بحجم	14.0 ملليمتر * 15 ملليمتر 10.0 ملليمتر * 10.5 ملليمتر 5.0 * 5.5 ملليمتر
سماكة	230 +/- 20um، 280 +/- 20um
اتجاه	ج محور (0001) +/- 0.5^س
الابتدائية شقة موقعك	وEMSP.
الابتدائية شقة الطول	وEMSP.
الثانوية شقة موقعك	وEMSP.
الثانوية شقة الطول	وEMSP.
المقاومة (300K)	العلامة u0026 lt؛ 0.5Ω · سم	وGT (10)؛⁶ Ω · سم
انخلاع كثافة	العلامة u0026 lt؛ 5X10⁶ سم 2
ماركو، عيب كثافة	0CM^-2
TTV	العلامة u0026 lt؛ = 15um
ينحني	العلامة u0026 lt؛ = 20um
صقل الأسطح	أمامي السطح: را u0026 لوت؛ 0.2nm.epi جاهزة مصقول

السطح الخلفي: 1. الأرض فين 2. خلال مطحون

منطقة قابلة للاستخدام ≥ 90٪

ملحوظة:

التحقق من صحة رقاقة : النظر في راحة الاستخدام، بام شيامن تقدم 2 "الياقوت التحقق من صحة رقاقة أقل من 2" الحجم قائما بذاته غان الركيزة

تطبيق الركيزة غان

إضاءة الحالة الصلبة: وتستخدم أجهزة غان كما فائقة سطوع الضوء الثنائيات الباعثة للضوء (المصابيح)، والتلفزيون، والسيارات، والإضاءة العامة

دي في دي التخزين: الأزرق الثنائيات الليزر

جهاز الطاقة: تستخدم أجهزة غان كمكونات مختلفة في الإلكترونيات عالية الطاقة وعالية التردد مثل المحطات الخلوية والأقمار الصناعية ومضخمات الطاقة والمحولات / المحولات للمركبات الكهربائية والسيارات الكهربائية الهجينة (هيف). فإن حساسية غان المنخفضة للإشعاعات المؤينة (مثل نيتريدات إي الأخرى) تجعلها مادة مناسبة للتطبيقات المحمولة في الفضاء مثل صفائف الخلايا الشمسية للأقمار الصناعية وأجهزة عالية الطاقة وعالية التردد لأقمار الاتصالات والطقس والمراقبة

مثالية ل 3-نيتريدس إعادة النمو

محطات لاسلكية: رف الترانزستورات السلطة

لاسلكي النطاق العريض الوصول: عالية التردد ميكس، رف الدوائر الدوائر

مجسات الضغط: ممس

أجهزة استشعار الحرارة: كاشفات البيرو الكهربائية

تكييف الطاقة: إشارة مختلطة غان / سي التكامل

الالكترونيات والسيارات: الالكترونيات درجة الحرارة العالية

خطوط نقل الطاقة: الالكترونيات عالية الجهد

مجسات الإطار: كاشفات الأشعة فوق البنفسجية

الخلايا الشمسية: الفجوة واسعة النطاق غان يغطي الطيف الشمسي من 0.65 إيف إلى 3.4 إيف (الذي هو عمليا الطيف الشمسي بأكمله)، مما يجعل نيتريد الغاليوم الإنديوم

(إنغان) سبائك مثالية لخلق المواد الخلايا الشمسية. بسبب هذه الميزة، تستعد الخلايا الشمسية إنغان نمت على ركائز غان لتصبح واحدة من أهم التطبيقات الجديدة وسوق النمو لرقائق الركيان غان.

مثالية ل هيمتس، فيتس

غان شوتكي ديود المشروع: نحن نقبل العرف المواصفات من الثنائيات شوتكي ملفقة على نبتريد الغاليوم نمت الغدد النانوية (غان) القائمة بذاتها، نان من أنواع n و p.

كل من الاتصالات (أوهميك وشوتكي) أودعت على السطح العلوي باستخدام آل / تي و بد / تي / أو.

العلامات الساخنة :

سابق:غان مقرها ليد الفوقي رقاقة
التالى :
قوالب غان

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.

منتجات ذات صله

قوالب غان

تتكون منتجات قوالب بام-شيامن من طبقات بلورية من نيتريد الغاليوم (غان)، نيتريد الألومنيوم (ألن)، نيتريد الغاليوم الألومنيوم (ألغان)، نيتريد الغاليوم الإنديوم (إنغان)، التي تودع على ركائز الياقوت، كربيد السيليكون أو منتجات قالب السيليكون. بام-شيامن تمكن 20-50٪ أقصر دورة دورة مرات وأعلى جودة الفوقي طبقات الجهاز، مع أفضل جودة الهيكلية والموصلية الحراري10

غان مقرها ليد الفوقي رقاقة

غم (نيتريد الغاليوم) القائم على بام-شيامن لرقاقة الفوقي الصمام هو سطوع عالية جدا الأزرق والأخضر الباعثة للضوء الثنائيات (ليد) وثنائيات الليزر (لد) التطبيق.

غان هيمت الفوقي رقاقة

(غان) نيتريد (غان) هيمتس (عالية الترانزستورات التنقل الإلكترون) هي الجيل القادم من الترددات اللاسلكية التكنولوجيا الترانزستور السلطة. شكرا لتكنولوجيا غان، بام شيامن الآن تقدم ألغان / غان هيمت إيبي رقاقة على الياقوت أو السيليكون، و ألغان / غان على قالب الياقوت .10

قناع الصورة

بام شيامن العروض الأقنعة قناع الصورة هو طلاء رقيقة من المواد اخفاء بدعم من الركيزة سمكا، والمواد امتصاص يمتص الضوء بدرجات متفاوتة ويمكن أن تكون منقوشة مع تصميم مخصص. يتم استخدام نمط لتعديل الضوء ونقل نمط من خلال عملية الضوئية التي هي العملية الأساسية المستخدمة لبناء تقريبا كل من الأجهزة الرقمية اليوم.10

عما تبحث?